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IRFH5406PbF
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TOP
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VGS
15V
10V
8.00V
5.50V
5.00V
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4.00V
3.75V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 25°C
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15V
10V
8.00V
5.50V
5.00V
4.50V
4.00V
3.75V
10
1
0.1
1
3.75V
0.01
3.75V
0.1
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
2.0
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1.8
ID = 24A
VGS = 10V
100
1.6
10
1
0.1
T J = 150°C
T J = 25°C
VDS = 25V
≤ 60 μ s PULSE WIDTH
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature
100000
10000
1000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
14
12
10
8
ID= 24A
VDS= 48V
VDS= 30V
VDS= 12V
Coss
6
100
10
Crss
4
2
0
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.Drain-to-Source Voltage
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.Gate-to-Source Voltage
3
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
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December 16, 2013
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